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铜箔基础理论及微观研究
电解铜箔的性能受自身晶体结构的影响，而通过电解过程添加剂的合理调控，可以改变铜沉积的反应电位，影响铜箔的微观结构和形貌。
德福科技通过数十年的技术沉淀，重点突破了微观晶粒特性的物性关联、材料应力及弹性模量特性研究、铜箔粗糙度理论模型等重点课题。
超微细粗化
添加剂技术
针对PCB板的轻薄化发展趋势和高频高速线路的低传输损耗特征，开发了高分子聚合物类添加剂，从而达到对铜箔表面铜瘤定制化设计的目的，该技术同时兼顾低粗糙度、足够抗剥离强度成为铜箔制造技术的关键。
低铁磁性阻挡层
电沉积技术
电子电路铜箔的金属阻挡层中存在阻碍信号传输的因子，在高速PCB中这类影响会被进一步放大。针对这一现象，开发了低铁磁性的金属阻挡层，一定程度上降低了信号传输过程中的损失。
硅烷偶联剂
适配技术
根据客户需求，针对性开发硅烷偶联剂适配技术，提升了铜
箔与不同种类高频高速树脂基材的化学结合性能。